Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL128P10TFI010 128Mbit, 8M x 16 bits, 100ns, TSOP, 56 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
128Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Número de pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NOR
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Número de palabras
8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
100ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Estándar
1
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
128Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Número de pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NOR
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Número de palabras
8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
100ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

