Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL01GS10TFI010 1Gbit, 128M x 16 bits, 100ns, TSOP, 56 pines

Código de producto RS: 125-4726Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: S29GL01GS10TFI010
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

1Gbit

Tipo de Interfaz

CFI, Paralelo

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

56

Organización

128M x 16 bits

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Longitud

18.5mm

Altura

1.05mm

Ancho

14.1mm

Dimensiones del Cuerpo

18.5 x 14.1 x 1.05mm

Número de Palabras

128M

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

16bit

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

100ns

Datos del producto

Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor

Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
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56

Organización

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Tipo de montaje

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Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Longitud

18.5mm

Altura

1.05mm

Ancho

14.1mm

Dimensiones del Cuerpo

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Número de Palabras

128M

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

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