Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM28V100-TG, 32 pines, TSOP, Paralelo, 1Mbit, 128K x 8 bits, 60ns, 2 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Tipo de Interfaz
Parallel
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
60ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
128K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Tipo de Encapsulado
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Conteo de Pines
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Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
128K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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