AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM28V020-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 125-4229Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM28V020-SG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

256kbit

Organización

32K x 8 bits

Tipo de Interfaz

Parallel

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

70ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

28

Dimensiones

18.11 x 7.62 x 2.37mm

Longitud

18.11mm

Profundidad

7.62mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

2.37mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Estándar de automoción

AEC-Q100

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 16.743

Each (Sin IVA)

$ 19.924

Each (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 16.743
2$ 33.486
3$ 50.229
4$ 66.972
5$ 83.715
6$ 100.458
7$ 117.201
8$ 133.944
9$ 150.687
10$ 136.460
11$ 150.106
12$ 163.752
13$ 177.398
14$ 191.044
15$ 204.690

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11$ 150.106
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10 - 49$ 13.646
50 - 99$ 13.295
100 - 499$ 12.915
500+$ 12.623

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SOIC W

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Longitud

18.11mm

Profundidad

7.62mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

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Altura

2.37mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

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AEC-Q100

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Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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