Memoria FRAM Infineon FM25V20A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 2Mbit, 256K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2989Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25V20A-DG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

2Mbit

Organización

256K x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

5 x 6 x 0.7mm

Longitud:

6mm

Ancho

5mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

0.7mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Bits de Palabra

8bit

Número de Palabras

256K

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 24.852

Each (Sin IVA)

$ 29.574

Each (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 24.852
2$ 49.704
3$ 74.556
4$ 99.408
5$ 124.260
6$ 149.112
7$ 173.964
8$ 198.816
9$ 223.668
10$ 205.270
11$ 225.797
12$ 246.324
13$ 266.851
14$ 287.378
15$ 307.905

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9$ 223.668
10$ 205.270
11$ 225.797
12$ 246.324
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15$ 307.905

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 24$ 20.527
25 - 99$ 19.986
100 - 499$ 19.490
500+$ 19.008

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8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

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Tipo de Encapsulado

DFN EP

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

5 x 6 x 0.7mm

Longitud:

6mm

Ancho

5mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

0.7mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Número de Bits de Palabra

8bit

Número de Palabras

256K

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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