AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25V10-G, 8 pines, SOIC, SPI, 1Mbit, 128K x 8 bits, 18ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2988Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25V10-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

128K x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

18ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud

4.97mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

3.98mm

Altura

1.47mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Bits de Palabra

8bit

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de Palabras

128K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 15.633

Each (Sin IVA)

$ 18.603

Each (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 15.633
2$ 31.266
3$ 46.899
4$ 62.532
5$ 78.165
6$ 93.798
7$ 109.431
8$ 125.064
9$ 140.697
10$ 126.080
11$ 138.688
12$ 151.296
13$ 163.904
14$ 176.512
15$ 189.120

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10$ 126.080
11$ 138.688
12$ 151.296
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 24$ 12.608
25 - 99$ 12.316
100 - 499$ 11.980
500+$ 11.673

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1Mbit

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128K x 8 bits

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8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

18ns

Tipo de montaje

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud

4.97mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

3.98mm

Altura

1.47mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Bits de Palabra

8bit

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de Palabras

128K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

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F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
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Alta resistencia
Bajo consumo

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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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