Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
512kbit
Organización
64k x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
18ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud
4.97mm
Profundidad
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
64K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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$ 18.365
Each (Sin IVA)
$ 21.854
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
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10 - 49 | $ 14.844 |
50 - 99 | $ 14.449 |
100 - 499 | $ 14.055 |
500+ | $ 13.733 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
512kbit
Organización
64k x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
18ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud
4.97mm
Profundidad
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
64K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.