Memoria FRAM Infineon FM25L04B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 2,7 V a 3,6 V

Código de producto RS: 125-4224Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25L04B-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

4kbit

Organización

512 x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

512

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.519,63

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