AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25040B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 20ns, 4,5 V a 5,5 V

Código de producto RS: 125-4218Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25040B-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

4kbit

Organización

512 x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

20ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Longitud

4.97mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Ancho

3.98mm

Altura

1.48mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de Palabras

512

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 1.391

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.655,29

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 6.955
10$ 13.910
15$ 20.865
20$ 27.820
25$ 34.775
30$ 41.730
35$ 48.685
40$ 55.640
45$ 62.595
50$ 69.550
55$ 76.505
60$ 83.460
65$ 90.415
70$ 97.370
75$ 104.325

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55$ 76.505
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8

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4.97 x 3.98 x 1.48mm

Longitud

4.97mm

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5.5 V

Ancho

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Altura

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Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

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Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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