Memoria FRAM Infineon FM24W256-G, 8 pines, SOIC, Serie I2C, 256kbit, 32K x 8 bits, 2,7 V a 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bit
Tipo de Interfaz
Serie I2C
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Largo
4.98mm
Profundidad
3.987mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
1.478mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
País de Origen
Thailand
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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2
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Serie I2C
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8bit
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Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Largo
4.98mm
Profundidad
3.987mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
1.478mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
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8bit
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
País de Origen
Thailand
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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