Memoria FRAM Infineon FM24V02A-G, 8 pines, SOIC, Serie I2C, 256kbit, 32K x 8 bits, 450ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2983Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM24V02A-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

256kbit

Organización

32K x 8 bits

Tipo de Interfaz

Serie I2C

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

450ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud:

4.97mm

Ancho

3.98mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.47mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 8.605

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 10.239,95

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100 - 498$ 6.487$ 12.974
500+$ 6.326$ 12.652

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450ns

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Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud:

4.97mm

Ancho

3.98mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.47mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.