AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24C04B-G, 8 pines, SOIC, El Cable 2 de serie, Serial-I2C, 4kbit, 512 x 8 bits, 3000ns,
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4kbit
Organización
512 x 8 bits
Tipo de Interfaz
Serial-2 Wire, Serial-I2C
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3000ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud:
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
512
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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| 30 - 95 | $ 2.104 | $ 10.520 |
| 100 - 495 | $ 1.861 | $ 9.305 |
| 500+ | $ 1.809 | $ 9.045 |
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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3000ns
Tipo de montaje
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
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8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud:
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5.5 V
Profundidad
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Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
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Datos del producto
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Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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