Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, SOJ-36, VCC máx. 3.6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512 k x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
0.93 x 0.4 x 0.12mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.12mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
0.93mm
Profundidad
0.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
19
P.O.A.
19
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512 k x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
0.93 x 0.4 x 0.12mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.12mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
0.93mm
Profundidad
0.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V