Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 512k x 8 bits, SOJ-36, VCC máx. 5.5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
0.93 x 0.405 x 0.12plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
23.62mm
Ancho
10.29mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
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P.O.A.
19
P.O.A.
19
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
0.93 x 0.405 x 0.12plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
23.62mm
Ancho
10.29mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V