Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 64k x 16 bits, 100MHZ, BGA-48, VCC máx. 3.6 V

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
64k x 16 bits
Número de palabras
64K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
BGA
Número de pines
48
Dimensiones
8 x 6 x 0.79mm
Altura
0.79mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
8mm
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Tray of 480) (Sin IVA)
480
P.O.A.
Each (In a Tray of 480) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
480
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
64k x 16 bits
Número de palabras
64K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
BGA
Número de pines
48
Dimensiones
8 x 6 x 0.79mm
Altura
0.79mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
8mm

