Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 128k x 8 bits, 100MHZ, TSOP-32, VCC máx. 5,5 V

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bit
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Ancho del Bus de Direcciones
17bit
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones
21.08 x 10.29 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
1.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
21.08mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Profundidad
10.29mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Estándar
5
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bit
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Ancho del Bus de Direcciones
17bit
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones
21.08 x 10.29 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
1.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
21.08mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Profundidad
10.29mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto

