Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1024k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Name: Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1024k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Brand: Cypress Semiconductor
SKU: 1242946

Código de producto RS: 124-2946Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY62158EV30LL-45ZSXI

Ver todo de Memorias SRAM

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

8Mbit

Organización

1024 K x 8 bits

Número de Palabras

1024K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

8bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.04mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Longitud

18.51mm

Profundidad

10.26mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

SRAM (Static Random Access Memory)

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1024k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1024k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

8Mbit

Organización

1024 K x 8 bits

Número de Palabras

1024K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

8bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.04mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Longitud

18.51mm

Profundidad

10.26mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.