Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1M x 8 bit, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 5,5 V

Name: Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1M x 8 bit, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 5,5 V
Brand: Cypress Semiconductor
SKU: 1242945

Código de producto RS: 124-2945Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY62158ELL-45ZSXI

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

8Mbit

Organización

1M x 8 bit

Número de Palabras

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

8bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Altura

1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Profundidad

10.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

18.51mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

País de Origen

Philippines

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

SRAM (Static Random Access Memory)

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Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1M x 8 bit, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 5,5 V

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Ancho del Bus de Direcciones

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Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

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Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Altura

1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Profundidad

10.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

18.51mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

País de Origen

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Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

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