Memoria SRAM Infineon, 8Mbit, 1M x 8 bits, 512k x 16 bits, 1MHZ, VFBGA-48, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8 bit, 16 bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
VFBGA
Conteo de Pines
48
Dimensiones del Cuerpo
6 x 8 x 0.79mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.79mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
6mm
Ancho
8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8 bit, 16 bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
VFBGA
Conteo de Pines
48
Dimensiones del Cuerpo
6 x 8 x 0.79mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.79mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Longitud
6mm
Ancho
8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.