Uso dual

Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 256 K x 16, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 827-2537Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY62147EV30LL-55ZSXE
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256 K x 16

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

55ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

44

Dimensiones

18.517 x 10.262 x 1.044mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.044mm

Longitud:

18.52mm

Ancho

10.262mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Datos del producto

Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor

SRAM (Static Random Access Memory)

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Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 256 K x 16, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
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16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

55ns

Ancho del Bus de Direcciones

18bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

44

Dimensiones

18.517 x 10.262 x 1.044mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.044mm

Longitud:

18.52mm

Ancho

10.262mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

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