Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 256kbit, 32k x 8 bits, SOIC-32, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bits
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.878 x 7.594 x 2.286mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
2.286mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
20.878mm
Ancho
7.594mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
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P.O.A.
Estándar
1
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bits
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.878 x 7.594 x 2.286mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
2.286mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
20.878mm
Ancho
7.594mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).