Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 8Mbit, 512 k x 16 bits, TSOP-54, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 125-6935Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY14B108N-ZSP45XI
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

8Mbit

Organización

512 k x 16 bits

Número de Palabras

512K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Asynchronous

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

54

Dimensiones del Cuerpo

22.517 x 10.262 x 1.05mm

Altura

1.05mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

10.262mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud:

22.517mm

Datos del producto

RAM no volátil, Cypress Semiconductor

Non-Volatile RAM (NVRAM)

NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).

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P.O.A.

Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 8Mbit, 512 k x 16 bits, TSOP-54, VCC máx. 3,6 V
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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Altura

1.05mm

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3.6 V

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