Relé de estado sólido Broadcom ASSR-5211, contactos SPST, 0.2 A máx., 600 V Montaje en PCB 1.7V

Código de producto RS: 693-6927PMarca: BroadcomNúmero de parte de fabricante: ASSR-5211-301E
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente de carga máxima

0.2A

Tipo de producto

Solid State Relay

Tipo de soporte

Montaje en PCB

Tensión de carga máxima

600V

Tensión de Carga Mínima

600V

Tensión de Control Mínimo

1.1V

Tensión de Control Máxima

1.7V

Serie

ASSR-5211

Tipo de terminal

6 polos

Configuración de contactos

SPST

Resistencia de estado de conexión

10Ω

Mínima Temperatura de Funcionamiento

85°C

Encapsulado

DIP-6

Temperatura Máxima de Operación

-40°C

Altura

4.2mm

Longitud

9.7mm

Certificaciones y estándares

IEC, CSA, UL, RoHS

Anchura

6.4mm

Corriente de Fuga en Estado Inactivo

1μA

Capacidad

0.8pF

Tipo de salida

MOSFET

Datos del producto

Relé de estado sólido (foto-MOSFET), serie ASSR, Avago Technologies

La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.

Optocouplers, Avago Technologies

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Tensión de Carga Mínima

600V

Tensión de Control Mínimo

1.1V

Tensión de Control Máxima

1.7V

Serie

ASSR-5211

Tipo de terminal

6 polos

Configuración de contactos

SPST

Resistencia de estado de conexión

10Ω

Mínima Temperatura de Funcionamiento

85°C

Encapsulado

DIP-6

Temperatura Máxima de Operación

-40°C

Altura

4.2mm

Longitud

9.7mm

Certificaciones y estándares

IEC, CSA, UL, RoHS

Anchura

6.4mm

Corriente de Fuga en Estado Inactivo

1μA

Capacidad

0.8pF

Tipo de salida

MOSFET

Datos del producto

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La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.

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