Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
BroadcomCorriente de Carga Máxima
0.1 A
Tipo de montaje
PCB Mount
Tensión de Carga Máxima
400 V
Tensión de Carga Mínima
-400 V
Tensión de Control Mínimo
0 V
Tensión de Control Máxima
0.8 V
Tipo de Conmutación
AC
Rango de Tensión de Control
0 → 0.8 V
Configuración del Contacto
DPST
Tipo de Terminal
PCB Pin
Dispositivo de Salida
MOSFET
Tipo de Encapsulado
DIP8
Tiempo de Activación Máximo
5 ms
Rango de Tensión de Carga
-400 → 400V
Dimensiones
9.65 x 6.35 x 3.56mm
Profundidad
6.35mm
Altura
3.56mm
Corriente de Fuga en Estado Inactivo
1 μA
Longitud:
9.65mm
Rango de Temperaturas de Funcionamiento
-40 → +85°C
Datos del producto
Relé de estado sólido (foto-MOSFET), serie ASSR, Avago Technologies
La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.
Optocouplers, Avago Technologies
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
BroadcomCorriente de Carga Máxima
0.1 A
Tipo de montaje
PCB Mount
Tensión de Carga Máxima
400 V
Tensión de Carga Mínima
-400 V
Tensión de Control Mínimo
0 V
Tensión de Control Máxima
0.8 V
Tipo de Conmutación
AC
Rango de Tensión de Control
0 → 0.8 V
Configuración del Contacto
DPST
Tipo de Terminal
PCB Pin
Dispositivo de Salida
MOSFET
Tipo de Encapsulado
DIP8
Tiempo de Activación Máximo
5 ms
Rango de Tensión de Carga
-400 → 400V
Dimensiones
9.65 x 6.35 x 3.56mm
Profundidad
6.35mm
Altura
3.56mm
Corriente de Fuga en Estado Inactivo
1 μA
Longitud:
9.65mm
Rango de Temperaturas de Funcionamiento
-40 → +85°C
Datos del producto
Relé de estado sólido (foto-MOSFET), serie ASSR, Avago Technologies
La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.