Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
BroadcomTipo de Producto
Solid State Relay
Corriente de Carga Máxima
0.6A
Tipo de Montaje
Montaje en PCB
Tensión de carga máxima
60V
Tensión de Carga Mínima
-60V
Tensión de Control Máxima
1.7V
Tensión de Control Mínimo
1.1V
Serie
ASSR
Configuración de contactos
SPST
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Función de conmutación
Conmutación ac/dc
Resistencia de estado de conexión
0.2Ω
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85°C
Encapsulado
DIP-8
Longitud:
9.7mm
Certificaciones y estándares
RoHS, CSA, IEC, UL
Ancho
6.4mm
Altura
3.6mm
Tipo de Salida
MOSFET
Corriente de Fuga en Estado Inactivo
0.5nA
Datos del producto
La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.
Volver a intentar más tarde
$ 9.718
$ 9.718 Each (Sin IVA)
$ 11.564
$ 11.564 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 9.718
$ 9.718 Each (Sin IVA)
$ 11.564
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 9.718 |
| 10 - 49 | $ 8.820 |
| 50 - 99 | $ 7.686 |
| 100 - 249 | $ 7.229 |
| 250+ | $ 7.214 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
BroadcomTipo de Producto
Solid State Relay
Corriente de Carga Máxima
0.6A
Tipo de Montaje
Montaje en PCB
Tensión de carga máxima
60V
Tensión de Carga Mínima
-60V
Tensión de Control Máxima
1.7V
Tensión de Control Mínimo
1.1V
Serie
ASSR
Configuración de contactos
SPST
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Función de conmutación
Conmutación ac/dc
Resistencia de estado de conexión
0.2Ω
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85°C
Encapsulado
DIP-8
Longitud:
9.7mm
Certificaciones y estándares
RoHS, CSA, IEC, UL
Ancho
6.4mm
Altura
3.6mm
Tipo de Salida
MOSFET
Corriente de Fuga en Estado Inactivo
0.5nA
Datos del producto
La gama de relés de estado sólido (foto -MOSFET) de Avago Technologies consta de un diodo de emisión de infrarrojos (LED) y un detector compuesto de una matriz de diodos fotovoltaica de alta velocidad y circuitería de driver para encender/apagar dos MOSFET discretos de alta tensión.
