Amplificador de RF HMC636ST89E Low Noise, banda ancha, 13 DB 1-Canales 4 GHz SOT-89, 3-Pines

Código de producto RS: 862-6196PMarca: Analog DevicesNúmero de parte de fabricante: HMC636ST89E
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Amplificador

Low Noise, banda ancha

Ganancia de Potencia Típica

13 dB

Potencia de Salida Típica

23dBm

Cifra de Ruido Típico

2.5dB

Número de Canales por Chip

1

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

4 GHz

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Conteo de Pines

3

Dimensiones

4.6 x 2.59 x 1.6mm

Altura

1.6mm

Longitud

4.6mm

Serie

Hittite

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5 V

Profundidad

2.59mm

Datos del producto

Amplificadores RF, Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.

Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices

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Tipo de Amplificador

Low Noise, banda ancha

Ganancia de Potencia Típica

13 dB

Potencia de Salida Típica

23dBm

Cifra de Ruido Típico

2.5dB

Número de Canales por Chip

1

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

4 GHz

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Conteo de Pines

3

Dimensiones

4.6 x 2.59 x 1.6mm

Altura

1.6mm

Longitud

4.6mm

Serie

Hittite

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5 V

Profundidad

2.59mm

Datos del producto

Amplificadores RF, Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.

Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices