Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Low Noise, banda ancha
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Potencia de Salida Típica
23dBm
Cifra de Ruido Típico
2.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
4.6 x 2.59 x 1.6mm
Altura
1.6mm
Longitud
4.6mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
2.59mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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$ 10.475
Each (Sin IVA)
$ 12.465
Each (IVA Incluido)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 10.475 |
10 - 49 | $ 8.985 |
50 - 99 | $ 8.737 |
100 - 249 | $ 7.466 |
250+ | $ 6.808 |
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Low Noise, banda ancha
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Potencia de Salida Típica
23dBm
Cifra de Ruido Típico
2.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
4.6 x 2.59 x 1.6mm
Altura
1.6mm
Longitud
4.6mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
2.59mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.