Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Ganancia de Potencia Típica
16 dB
Potencia de Salida Típica
21dBm
Cifra de Ruido Típico
0.6dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1.2 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
1
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1
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Ganancia de Potencia Típica
16 dB
Potencia de Salida Típica
21dBm
Cifra de Ruido Típico
0.6dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1.2 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.