Amplificador de RF HMC617LP3E Ruido bajo, 16 dB 1-Canales 1,2 GHz QFN, 16-Pines

Código de producto RS: 862-6199Marca: Analog DevicesNúmero de parte de fabricante: HMC617LP3E
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Amplificador

Ruido bajo

Ganancia de Potencia Típica

16 dB

Potencia de Salida Típica

21dBm

Cifra de Ruido Típico

0.6dB

Número de Canales por Chip

1

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

1.2 GHz

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

QFN EP

Conteo de Pines

16

Dimensiones del Cuerpo

3.1 x 3.1 x 1mm

Altura

1mm

Longitud:

3.1mm

Serie

Hittite

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5 V

Ancho

3.1mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3.0 V

Datos del producto

Amplificadores RF, Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.

Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices

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Ruido bajo

Ganancia de Potencia Típica

16 dB

Potencia de Salida Típica

21dBm

Cifra de Ruido Típico

0.6dB

Número de Canales por Chip

1

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

1.2 GHz

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

QFN EP

Conteo de Pines

16

Dimensiones del Cuerpo

3.1 x 3.1 x 1mm

Altura

1mm

Longitud:

3.1mm

Serie

Hittite

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5 V

Ancho

3.1mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3.0 V

Datos del producto

Amplificadores RF, Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.

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