Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
14dBm
Número de Canales por Chip
2
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
3.1mm
Serie
Hittite
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
14dBm
Número de Canales por Chip
2
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
3.1mm
Serie
Hittite
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.