Módulo amplificador de RF HMC561LP3E Amplificador de bajo ruido 2-Canales 10,5 GHz QFN, 16-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
14dBm
Número de Canales por Chip
2
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud:
3.1mm
Ancho
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
14dBm
Número de Canales por Chip
2
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud:
3.1mm
Ancho
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.