Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
17 dB
Potencia de Salida Típica
20dBm
Cifra de Ruido Típico
4.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
18 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
12
Dimensiones
3 x 3 x 0.92mm
Altura
0.92mm
Longitud:
3mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Ancho
3mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
17 dB
Potencia de Salida Típica
20dBm
Cifra de Ruido Típico
4.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
18 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
12
Dimensiones
3 x 3 x 0.92mm
Altura
0.92mm
Longitud:
3mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Ancho
3mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.