Amplificador de RF HMC441LC3B Potencia, 17 dB 1-Canales 18 GHz Montaje superficial, 12-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
17 dB
Potencia de Salida Típica
20dBm
Cifra de Ruido Típico
4.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
18 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
12
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.92mm
Altura
0.92mm
Longitud
3mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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$ 87.280
Each (Sin IVA)
$ 103.863
Each (IVA Incluido)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 87.280 |
| 5 - 9 | $ 85.965 |
| 10 - 24 | $ 81.348 |
| 25 - 49 | $ 76.454 |
| 50+ | $ 70.785 |
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Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
17 dB
Potencia de Salida Típica
20dBm
Cifra de Ruido Típico
4.5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
18 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
12
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.92mm
Altura
0.92mm
Longitud
3mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.