Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
21 dB
Potencia de Salida Típica
27dBm
Cifra de Ruido Típico
5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 GHz
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Conteo de Pines
8
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3.1mm
Series
Hittite
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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1
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Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Power
Ganancia de Potencia Típica
21 dB
Potencia de Salida Típica
27dBm
Cifra de Ruido Típico
5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 GHz
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Conteo de Pines
8
Dimensiones
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3.1mm
Series
Hittite
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.