Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 740 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm

Código de producto RS: 665-5397PMarca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: SFH 313 FA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo

Tiempo de Bajada Típico

14µs

Tiempo de Subida Típico

14µs

Número de Canales

1

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

20 °

Polarity

NPN

Número de Pines

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

5mm (T-1 3/4)

Dimensiones del Cuerpo

5.9 x 5.9 x 9mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Rango Espectral de Sensibilidad

740 → 1080 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

740nm

Profundidad

5.9mm

Altura

9mm

Largo

5.9mm

Datos del producto

Encapsulado de fototransistor T-1 3/4 (5 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 5 mm (T-1 3/4). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen: unidades flash controladas por ordenador, fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de accionamiento/control.

Encapsulados de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje de orificio pasante

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)

Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 740 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Bolsa)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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14µs

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1

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

20 °

Polarity

NPN

Número de Pines

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

5mm (T-1 3/4)

Dimensiones del Cuerpo

5.9 x 5.9 x 9mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Rango Espectral de Sensibilidad

740 → 1080 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

740nm

Profundidad

5.9mm

Altura

9mm

Largo

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Datos del producto

Encapsulado de fototransistor T-1 3/4 (5 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 5 mm (T-1 3/4). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen: unidades flash controladas por ordenador, fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de accionamiento/control.

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