Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 740 → 1070 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 3 mm
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
12µs
Typical Rise Time
12µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones
3.4 x 3.4 x 4.8mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
740nm
Rango Espectral de Sensibilidad
740 → 1070 nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1070nm
Profundidad
3.4mm
Largo
3.4mm
Altura
4.8mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)
Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
Encapsulado estándar de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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| 4000+ | $ 219 | $ 438.000 |
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1
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
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Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones
3.4 x 3.4 x 4.8mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
740nm
Rango Espectral de Sensibilidad
740 → 1070 nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1070nm
Profundidad
3.4mm
Largo
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Altura
4.8mm
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Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)
Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
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