Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm

Código de producto RS: 654-8019PMarca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: SFH 309 FA-4/5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo

Spectrum(s) Detected

Infrared

Tiempo de Bajada Típico

7µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

7200µA

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

24 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

4 x 4 x 5.2mm

Corriente del Colector

15mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Rango Espectral de Sensibilidad

730 → 1120 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Longitud

4mm

Profundidad

4mm

Altura

5.2mm

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

Encapsulado estándar de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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P.O.A.

Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Infrared

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7µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

7200µA

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

24 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

4 x 4 x 5.2mm

Corriente del Colector

15mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Rango Espectral de Sensibilidad

730 → 1120 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Longitud

4mm

Profundidad

4mm

Altura

5.2mm

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

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