Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, luz visible, rango onda λ 400 → 1100 nm, corriente Ic 100mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
12µs
Typical Rise Time
12µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
16 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
100mA
Rango Espectral de Sensibilidad
400 → 1100 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Ancho
5.6mm
Altura
6.2mm
Longitud:
5.6mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado TO18
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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$ 1.518
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
$ 1.806,42
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (IVA Incluido)
1000
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Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
16 °
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NPN
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3
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Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
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Rango Espectral de Sensibilidad
400 → 1100 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Ancho
5.6mm
Altura
6.2mm
Longitud:
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