Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, luz visible, rango onda λ 400 → 1100 nm, corriente Ic 100mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
12µs
Tiempo de Subida Típico
12µs
Número de canales
1
Maximum Light Current
5800µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
16 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-18
Dimensiones
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
100mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Rango Espectral de Sensibilidad
400 → 1100 nm
Longitud
5.6mm
Anchura
5.6mm
Altura
6.2mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado TO18
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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$ 1.934.000
$ 1.934 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
$ 2.301.460
$ 2.301,46 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (IVA Inc.)
1000
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Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
16 °
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NPN
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Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-18
Dimensiones
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
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1100nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
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Rango Espectral de Sensibilidad
400 → 1100 nm
Longitud
5.6mm
Anchura
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Altura
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