Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + UV + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
TO-18
Función de amplificador
No
Tipo de montaje
Through Hole
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud:
5.6mm
Profundidad
5.6mm
Altura
5.5mm
Fotosensibilidad de Pico
0.55A/W
Polarity
Forward
País de Origen
China
Datos del producto
Encapsulado de fotodiodo PIN TO-18
El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.
Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
Montaje de orificio pasante
Longitud de onda: de 350 a 1100 nm
Tiempo de conmutación corto
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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$ 8.211
Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 5 | $ 8.211 |
| 6 - 29 | $ 7.773 |
| 30 - 59 | $ 5.902 |
| 60+ | $ 5.581 |
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Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
TO-18
Función de amplificador
No
Tipo de montaje
Through Hole
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud:
5.6mm
Profundidad
5.6mm
Altura
5.5mm
Fotosensibilidad de Pico
0.55A/W
Polarity
Forward
País de Origen
China
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Encapsulado de fotodiodo PIN TO-18
El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.
Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
Montaje de orificio pasante
Longitud de onda: de 350 a 1100 nm
Tiempo de conmutación corto
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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