Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2

Código de producto RS: 654-8261PMarca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: BPW 34 SR-Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ams OSRAM

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

850nm

Encapsulado

DIP

Función de amplificador

No

Tipo de montaje

Surface Mount

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

400nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.62A/W

Polarity

Reverse

Datos del producto

PIN Photodiode, Radiant Sensitive Area 2.65x2.65mm

Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,65 x 2,65 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

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P.O.A.

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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No

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1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

400nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.62A/W

Polarity

Reverse

Datos del producto

PIN Photodiode, Radiant Sensitive Area 2.65x2.65mm

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