Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
880nm
Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Función de amplificador
No
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
730nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Altura
1.2mm
Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
Polarity
Reverse
Datos del producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
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Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
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No
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1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
730nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
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Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Altura
1.2mm
Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
Polarity
Reverse
Datos del producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
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