MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Brand

Tipo de producto

Power MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

STripFET

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura Máxima de Operación

-55°C

Configuración de transistor

Isolated

Altura

1.25mm

Longitud:

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

País de Origen

China