Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Corriente de Salida
18.5A
Número de pines
3
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tiempo de caída
40ns
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
27ns
Tensión Mínima de Alimentación
3V
Tensión de Alimentación Máxima
30V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
No
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Volver a intentar más tarde
$ 223.350
$ 4.467 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 265.786
$ 5.315,73 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Corriente de Salida
18.5A
Número de pines
3
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TO-220
Tiempo de caída
40ns
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
27ns
Tensión Mínima de Alimentación
3V
Tensión de Alimentación Máxima
30V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
No
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.