STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHZ

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

• Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
• VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
• Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
• Corriente de cola minimizada
• Distribución de parámetros ajustada
• Resistencia térmica baja
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
• Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto kelvin de accionamiento adicional