IGBT, STGW60V60DF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 791-7643PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW60V60DF
brand-logo
Ver todo en IGBTs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, STGW60V60DF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, STGW60V60DF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más