
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Altura
4.6mm
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Altura
4.6mm
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.