Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Serie
SCTL35N65G2V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
67mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
417W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
8.1mm
Altura
0.95mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Volver a intentar más tarde
$ 50.949.000
$ 16.983 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 60.629.310
$ 20.209,77 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 50.949.000
$ 16.983 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 60.629.310
$ 20.209,77 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Serie
SCTL35N65G2V
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
67mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
417W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
3.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
8.1mm
Altura
0.95mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.