
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo de protección ESD
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
0201
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
140W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
13.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
0.33mm
Altura
0.32mm
Longitud:
0.63mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
70nA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
15
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
15
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo de protección ESD
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
0201
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
140W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
13.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
0.33mm
Altura
0.32mm
Longitud:
0.63mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
70nA
Datos del producto