Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4mm
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
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Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4mm
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
País de Origen
Philippines
Datos del producto